Rad je posvećen proučavanju elektronskih karakteristika germanijuma i silicijuma i bipolarnih poluprovodni čkih naprava podvrgnutih elastičnoj mehaničkoj deformaciji. Cilj prve dve glave ovog rada bio je da formuliše opštu teoriju pomoću koje bi se mogli razmatrati fenomeni prenosa naelektrisanja kod poluprovoclnika i problemi injekcije manjinskih nosilaca kod bipolarnih poluprovodničkih naprava, podvrgnutih deformaciji koja je nastala spoljašnjom primenom sile ili je poslediea mehaničkih napona uvedenih u toku tehnoloških procesa njihovog dobijanja. Pri formulaciji ove teorije korišćen je model deformacionog potencijala i Kroemerov dokaz egzistencije kvazielektričnih sila u nehomogenim poluprovodnicima. Tako razvijena teorija primenjena je u trećoj glavi, na proučavanje uticaja nehomogene deformacije na statičke karakteristike bipolarnih poluprovodničkih naprava. Posebna pažnja posvećena je smanjenju pojačanja tranzistora, pod uticajem lokalizovane, spolja primenjene deformacije i def...ormacije nastale pri difuziji visokih koncentracija primesa u emiteru. Pri razmatranju problema smanjenja pojačanja pod uticajem lokalizovane deformacije, bilo je potrebno da se pored teorije razvijene u prve dve glave razmotri i uticaj efekta „visoke injekcije“ u deformisanoj oblasti. Ovi uslovi nastaju pri dovoljno velikim kompresionim deformacijama, pošto su injektovane struje manjinskih nosilaca, eksponencijalno povezane sa mehaničkim naponima u toj oblasti. Ovde dato razmatranje, pretstavlja proširenje našeg ranije objavljenog rada, s tim što su pored naših eksperimentalnih rezultata za silicijumske tranzistore uključeni i novi eksperimentalni rezultati Sirkina i Feokistove koji pokazuju da se navedena teorija može sasvim dobro primeniti i na germanijumske i na silicijumske tranzistore. Osim tog, ovde je data teorija i eksperimentalni rezultati otkrivenog efekta povećanja probojnog napona kolektor-emiter usled primene lokalizovane deformacije na emiter planarnog tranzistora. Praktičan značaj proučavanja uticaja lokalizovane deformacije na pojačanje tranzistora sa uzemljenim emitorom povezan je sa činjenicom da je ovaj efekat najčešće korišćen pri konstrukciji pretvarača pritiska poznatih pod nazivom „Pitran“, poluprovodničkih mikrofona itd. Proučavanje uticaja mehaničkih napona nastalih u toku tehnoloških procesa izrade bipolarnih poluprovodničkih naprava na njihove karakteristike, inspirisano je ranije eksperimentalno ustanovljenom činjenicom da se pojačanje tranzistora sa uzemljenim emiterom smanjuje pri povećanju koncentracije primesa kojima se dopinguju emiter i baza. Ovaj efekat, kao i efekti anomalne difuzije bora i fosfora i silicijum predstavljaju ograničenje daljeg razvoja visokofrekventnih silicijumskih tranzistora, jer se pri njihovoj fabrikaciji, radi postizanja visokih graničnih frekvencija koriste visoke koncentracije primesa. Mada se razmatranje ovog efekta komplikuje činjenicom da je pri analizi potrebno koristiti nedovoljno razvijenu teoriju p-n spojeva, formiranih od degenerisanih poluprovodnika, i uračunati efekat politropije primesa, mi smo pokazali da se pomoću teorije razvijene u prve dve glave ovog rada, mogu kvalitativno, a u nekim slučajevima i kvantitativno objasniti navedeni efekti. Kraj treće glave posvećen je teoriji anomalnih ili kooperativnih efekata difuzije. Mi smatramo da je teorija data u prvom delu ovog rada ovde našla jednu od najpotpunijih primena.
TY - THES
AU - Đurić, Zoran G.
PY - 1972
UR - https://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/4867
AB - Rad je posvećen proučavanju elektronskih karakteristika germanijuma i silicijuma i bipolarnih poluprovodni čkih naprava podvrgnutih elastičnoj mehaničkoj deformaciji. Cilj prve dve glave ovog rada bio je da formuliše opštu teoriju pomoću koje bi se mogli razmatrati fenomeni prenosa naelektrisanja kod poluprovoclnika i problemi injekcije manjinskih nosilaca kod bipolarnih poluprovodničkih naprava, podvrgnutih deformaciji koja je nastala spoljašnjom primenom sile ili je poslediea mehaničkih napona uvedenih u toku tehnoloških procesa njihovog dobijanja. Pri formulaciji ove teorije korišćen je model deformacionog potencijala i Kroemerov dokaz egzistencije kvazielektričnih sila u nehomogenim poluprovodnicima. Tako razvijena teorija primenjena je u trećoj glavi, na proučavanje uticaja nehomogene deformacije na statičke karakteristike bipolarnih poluprovodničkih naprava. Posebna pažnja posvećena je smanjenju pojačanja tranzistora, pod uticajem lokalizovane, spolja primenjene deformacije i deformacije nastale pri difuziji visokih koncentracija primesa u emiteru. Pri razmatranju problema smanjenja pojačanja pod uticajem lokalizovane deformacije, bilo je potrebno da se pored teorije razvijene u prve dve glave razmotri i uticaj efekta „visoke injekcije“ u deformisanoj oblasti. Ovi uslovi nastaju pri dovoljno velikim kompresionim deformacijama, pošto su injektovane struje manjinskih nosilaca, eksponencijalno povezane sa mehaničkim naponima u toj oblasti. Ovde dato razmatranje, pretstavlja proširenje našeg ranije objavljenog rada, s tim što su pored naših eksperimentalnih rezultata za silicijumske tranzistore uključeni i novi eksperimentalni rezultati Sirkina i Feokistove koji pokazuju da se navedena teorija može sasvim dobro primeniti i na germanijumske i na silicijumske tranzistore. Osim tog, ovde je data teorija i eksperimentalni rezultati otkrivenog efekta povećanja probojnog napona kolektor-emiter usled primene lokalizovane deformacije na emiter planarnog tranzistora. Praktičan značaj proučavanja uticaja lokalizovane deformacije na pojačanje tranzistora sa uzemljenim emitorom povezan je sa činjenicom da je ovaj efekat najčešće korišćen pri konstrukciji pretvarača pritiska poznatih pod nazivom „Pitran“, poluprovodničkih mikrofona itd. Proučavanje uticaja mehaničkih napona nastalih u toku tehnoloških procesa izrade bipolarnih poluprovodničkih naprava na njihove karakteristike, inspirisano je ranije eksperimentalno ustanovljenom činjenicom da se pojačanje tranzistora sa uzemljenim emiterom smanjuje pri povećanju koncentracije primesa kojima se dopinguju emiter i baza. Ovaj efekat, kao i efekti anomalne difuzije bora i fosfora i silicijum predstavljaju ograničenje daljeg razvoja visokofrekventnih silicijumskih tranzistora, jer se pri njihovoj fabrikaciji, radi postizanja visokih graničnih frekvencija koriste visoke koncentracije primesa. Mada se razmatranje ovog efekta komplikuje činjenicom da je pri analizi potrebno koristiti nedovoljno razvijenu teoriju p-n spojeva, formiranih od degenerisanih poluprovodnika, i uračunati efekat politropije primesa, mi smo pokazali da se pomoću teorije razvijene u prve dve glave ovog rada, mogu kvalitativno, a u nekim slučajevima i kvantitativno objasniti navedeni efekti. Kraj treće glave posvećen je teoriji anomalnih ili kooperativnih efekata difuzije. Mi smatramo da je teorija data u prvom delu ovog rada ovde našla jednu od najpotpunijih primena.
PB - Belgrade : University of Belgrade, Faculty of Electrical Engineering
T1 - Uticaj mehaničke deformacije na bipolarne poluprovodničke naprave
DO - 10.2298/BG19720318DJURIC
ER -
@phdthesis{
author = "Đurić, Zoran G.",
year = "1972",
abstract = "Rad je posvećen proučavanju elektronskih karakteristika germanijuma i silicijuma i bipolarnih poluprovodni čkih naprava podvrgnutih elastičnoj mehaničkoj deformaciji. Cilj prve dve glave ovog rada bio je da formuliše opštu teoriju pomoću koje bi se mogli razmatrati fenomeni prenosa naelektrisanja kod poluprovoclnika i problemi injekcije manjinskih nosilaca kod bipolarnih poluprovodničkih naprava, podvrgnutih deformaciji koja je nastala spoljašnjom primenom sile ili je poslediea mehaničkih napona uvedenih u toku tehnoloških procesa njihovog dobijanja. Pri formulaciji ove teorije korišćen je model deformacionog potencijala i Kroemerov dokaz egzistencije kvazielektričnih sila u nehomogenim poluprovodnicima. Tako razvijena teorija primenjena je u trećoj glavi, na proučavanje uticaja nehomogene deformacije na statičke karakteristike bipolarnih poluprovodničkih naprava. Posebna pažnja posvećena je smanjenju pojačanja tranzistora, pod uticajem lokalizovane, spolja primenjene deformacije i deformacije nastale pri difuziji visokih koncentracija primesa u emiteru. Pri razmatranju problema smanjenja pojačanja pod uticajem lokalizovane deformacije, bilo je potrebno da se pored teorije razvijene u prve dve glave razmotri i uticaj efekta „visoke injekcije“ u deformisanoj oblasti. Ovi uslovi nastaju pri dovoljno velikim kompresionim deformacijama, pošto su injektovane struje manjinskih nosilaca, eksponencijalno povezane sa mehaničkim naponima u toj oblasti. Ovde dato razmatranje, pretstavlja proširenje našeg ranije objavljenog rada, s tim što su pored naših eksperimentalnih rezultata za silicijumske tranzistore uključeni i novi eksperimentalni rezultati Sirkina i Feokistove koji pokazuju da se navedena teorija može sasvim dobro primeniti i na germanijumske i na silicijumske tranzistore. Osim tog, ovde je data teorija i eksperimentalni rezultati otkrivenog efekta povećanja probojnog napona kolektor-emiter usled primene lokalizovane deformacije na emiter planarnog tranzistora. Praktičan značaj proučavanja uticaja lokalizovane deformacije na pojačanje tranzistora sa uzemljenim emitorom povezan je sa činjenicom da je ovaj efekat najčešće korišćen pri konstrukciji pretvarača pritiska poznatih pod nazivom „Pitran“, poluprovodničkih mikrofona itd. Proučavanje uticaja mehaničkih napona nastalih u toku tehnoloških procesa izrade bipolarnih poluprovodničkih naprava na njihove karakteristike, inspirisano je ranije eksperimentalno ustanovljenom činjenicom da se pojačanje tranzistora sa uzemljenim emiterom smanjuje pri povećanju koncentracije primesa kojima se dopinguju emiter i baza. Ovaj efekat, kao i efekti anomalne difuzije bora i fosfora i silicijum predstavljaju ograničenje daljeg razvoja visokofrekventnih silicijumskih tranzistora, jer se pri njihovoj fabrikaciji, radi postizanja visokih graničnih frekvencija koriste visoke koncentracije primesa. Mada se razmatranje ovog efekta komplikuje činjenicom da je pri analizi potrebno koristiti nedovoljno razvijenu teoriju p-n spojeva, formiranih od degenerisanih poluprovodnika, i uračunati efekat politropije primesa, mi smo pokazali da se pomoću teorije razvijene u prve dve glave ovog rada, mogu kvalitativno, a u nekim slučajevima i kvantitativno objasniti navedeni efekti. Kraj treće glave posvećen je teoriji anomalnih ili kooperativnih efekata difuzije. Mi smatramo da je teorija data u prvom delu ovog rada ovde našla jednu od najpotpunijih primena.",
publisher = "Belgrade : University of Belgrade, Faculty of Electrical Engineering",
title = "Uticaj mehaničke deformacije na bipolarne poluprovodničke naprave",
doi = "10.2298/BG19720318DJURIC"
}
Đurić, Z. G.. (1972). Uticaj mehaničke deformacije na bipolarne poluprovodničke naprave.
Belgrade : University of Belgrade, Faculty of Electrical Engineering..
https://doi.org/10.2298/BG19720318DJURIC
Đurić ZG. Uticaj mehaničke deformacije na bipolarne poluprovodničke naprave. 1972;.
doi:10.2298/BG19720318DJURIC .
