Show simple item record

Izrada mikrogredica od SiO2 anizotropnim hemijskim nagrizanjem na monokristalnom silicijumu (100) orijentacije

dc.creatorJović, Vesna
dc.creatorLamovec, Jelena
dc.creatorPopović, Mirjana
dc.creatorLazić, Žarko
dc.date.accessioned2019-01-30T17:15:24Z
dc.date.available2019-01-30T17:15:24Z
dc.date.issued2007
dc.identifier.issn0352-5139
dc.identifier.urihttp://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/308
dc.description.abstractThe undercutting process of thermal SiO2 microcantilevers with different orientations on (100) Si wafer was studied. The silicon substrate was removed by anisotropic chemical etching with a 25 wt. % aqueous solution of TMAH or a 30 wt. % aqueous KOH solution at 80 °C. It was found that [110] oriented cantilevers were undercutting frontally along the length and [100] oriented cantilevers experience undercutting along the width of the cantilever, which is a less time consuming process. The studies showed that the [100] orientation of SiO2 microbridges enables theirs fabrication on a (100) oriented Si substrate.en
dc.description.abstractIzučavana je realizacija mikrogredica od termički deponovanog SiO2 na monokristalnim podlogama Si (100) orijentacije. Gredice su realizovane anizotropnim hemijskim nagrizanjem u sledećim vodenim rastvorima: 25 tež. % TMAH (tetrametilamonijum hidroksid) i 30 tež. % KOH. Temperatura nagrizanja je bila 80 °C. SiO2 mikrogredice orijentisane u [110] pravcu na Si (100) podlozi se oslobađaju čeonim podgrizanjem Si podloge i brzina realizacije gredice zavisi i od njene širine i od njene dužine. Utvrđene su i brzine nagrizanja SiO2 u ovim rastvorima i pokazalo se da promena debljine gredice, koja za ovako orijentisane gredice postoji po dužini, biva izraženija u rastvorima KOH. Na SiO2 mikrogredicama ove orijentacije je opažena pojava mikroprskotina koje su objašnjene samim mehanizmom podgrizanja Si u cilju "oslobađanja" mikrogredica ove orijentacije. SiO2 mikrogredice orijentisane u [110] pravcu na (100) Si podlozi se "oslobađaju" bočnim podgrizanjem Si podloge i brzina njihove realizacije ne zavisi od dužine mikrogredice već samo od njene širine. Mikromostiće od termički deponovanog SiO2 je moguće realizovati anizotropnim hemijskim nagrizanjem u razmatranim rastvorima samo kada su orijentisani u [100] pravcu na (100) Si podlozi. .sr
dc.publisherSerbian Chemical Society
dc.rightsopenAccess
dc.sourceJournal of the Serbian Chemical Society
dc.subjectanisotropic wet chemical etchingen
dc.subjectTMAHen
dc.subjectKOHen
dc.subjectSiO2 microcantileveren
dc.subjectSiO2 microbridgeen
dc.subject(100) oriented Si substrateen
dc.titleFabrication of Sio2-based microcantilevers by anisotropic chemical etching of (100) single crystal Sien
dc.titleIzrada mikrogredica od SiO2 anizotropnim hemijskim nagrizanjem na monokristalnom silicijumu (100) orijentacijesr
dc.typearticle
dc.rights.licenseBY-NC-ND
dcterms.abstractЛамовец, Јелена; Лазић, Жарко; Поповић, Мирјана; Јовић, Весна; Израда микрогредица од СиО2 анизотропним хемијским нагризањем на монокристалном силицијуму (100) оријентације; Израда микрогредица од СиО2 анизотропним хемијским нагризањем на монокристалном силицијуму (100) оријентације;
dc.citation.volume72
dc.citation.issue11
dc.citation.spage1127
dc.citation.epage1138
dc.citation.other72(11): 1127-1138
dc.citation.rankM23
dc.identifier.doi10.2298/JSC0711127J
dc.identifier.rcubConv_240
dc.identifier.fulltexthttp://cer.ihtm.bg.ac.rs//bitstream/id/8986/306.pdf
dc.identifier.scopus2-s2.0-35948959464
dc.type.versionpublishedVersion


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record