Претраживање
Приказ резултата 1-1 од 1
Odredjivanje brzine nagrizanja monokristalnog si (100) orijentacije u puferovanom rastvoru fluorovodonične kiseline / Etch rate determination of (100) oriented monocrystalline si in buffered hydrofluoric acid solution
(Beograd : Društvo za elektroniku, telekomunikacije, računarstvo, automatiku i nuklearnu tehniku, 2012)
Izučavan je uticaj rastvorenog O2
u BOE (puferovanim
rastvorima za nagrizanje SiO2
) sastava 7 vol.(40 tež. % NH4F) : 1
vol. (49 tež. % HF), koji se uobičajeno koristi za delineaciju SiO2 u
procesima mikrofabrikacije ...