Претраживање
Приказ резултата 1-1 од 1
Brzine nagrizanja kristalografskih ravni silicijuma u vodenom rastvoru TMAH koncentracije 25 tež. % / Etch rates of Si crystallographic planes in a 25 wt % TMAH water solution
(ETRAN Society, 2013)
Nagrizane su silicijumske strukture koje su na
početku nagrizanja definisane kvadratnim ostrvima od
termičkog silicijum dioksida. Stranice kvadrata su projektovane
u različitim kristalografskim pravcima. Određene su ...