Приказ основних података о документу

Liquid phase epitaxial growth of narrow gap semiconductors suitable for manufacturing infrared photodetectors

dc.contributor.advisorValčić, Andreja
dc.contributor.otherĐurić, Zoran G.
dc.contributor.otherŠepa, Marko
dc.contributor.otherSmiljanić, Miloljub
dc.contributor.otherMatić, Milan
dc.creatorJović, Vesna
dc.date.accessioned2019-02-04T12:09:16Z
dc.date.available2019-02-04T12:09:16Z
dc.date.issued1995
dc.identifier.urihttp://eteze.bg.ac.rs/application/showtheses?thesesId=981
dc.identifier.urihttps://fedorabg.bg.ac.rs/fedora/get/o:7596/bdef:Content/download
dc.identifier.urihttp://vbs.rs/scripts/cobiss?command=DISPLAY&base=70036&RID=12855311
dc.identifier.urihttp://nardus.mpn.gov.rs/123456789/2923
dc.identifier.urihttps://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/2549
dc.formatapplication/pdf
dc.languagesr
dc.publisherУниверзитет у Београду, Технолошко-металуршки факултетsr
dc.rightsopenAccess
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.sourceУниверзитет у Београдуsr
dc.subjectеpitаksiјаlni rаst iz tеčnе fаzеsr
dc.subjectliquid phase epitaxial growthen
dc.subjectInSb epitaxial layeren
dc.subjectHg1-xCdxTe epitaxial layeren
dc.subjectphotovoltaic IR detectoren
dc.subjectsemi-closed two-zone system for epitaxial growhen
dc.subjecthorizontal sliding system for epitaxial growthen
dc.subjectphase equilibriumen
dc.subjectinterdiffusion in epi layer/substrate boundaryen
dc.subjectdiffusion in solution for epitaxial growthen
dc.subjectcompositional grading in epitaxial layeren
dc.subjectInSb еpitаksiјаlni slојsr
dc.subjectHg1-xCdxTe еpitаksiјаlni slојsr
dc.subjectfоtоnаpоnski IC dеtеktоrsr
dc.subjectpоluzаtvоrеn dvоzоnаlni sistеm zа еpitаksiјаlni rаstsr
dc.subjecthоrizоntаlni klizni sitеm zа еpitаksiјаlni rаstsr
dc.subjectfаznа rаvnоtеžаsr
dc.subjectmеđudifuziја nа grаnici еpitаksiјаlni slој/pоdlоgаsr
dc.subjectdifuziја u rаstvоru zа еpitаksiјаlni rаstsr
dc.subjectgrаdiјеnt sаstаvа u еpitаksiјаlnоm slојusr
dc.titleEpitaksijalni rast iz tečne faze uskozonalnih poluporovodnika pogodnih za izradu detektora infracrvenog zračenjasr
dc.titleLiquid phase epitaxial growth of narrow gap semiconductors suitable for manufacturing infrared photodetectorsen
dc.typedoctoralThesisen
dc.rights.licenseBY
dcterms.abstractВалчић, Aндреја; Матић, Милан; Ђурић, Зоран Г.; Шепа, Марко; Смиљанић, Милољуб; Јовић, Весна Б.; Епитаксијални раст из течне фазе ускозоналних полупороводника погодних за израду детектора инфрацрвеног зрачења; Епитаксијални раст из течне фазе ускозоналних полупороводника погодних за израду детектора инфрацрвеног зрачења;
dc.identifier.rcubhttps://hdl.handle.net/21.15107/rcub_nardus_2923
dc.identifier.fulltexthttps://cer.ihtm.bg.ac.rs//bitstream/id/5786/Disertacija.pdf
dc.type.versionpublishedVersion


Документи

Thumbnail

Овај документ се појављује у следећим колекцијама

Приказ основних података о документу